VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响
文献类型：学位论文
| 作者 | 曹可慰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2015-12 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 赵有文 |
| 关键词 | 锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2015-12-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26627]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹可慰. VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。