新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究
文献类型：学位论文
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| 作者 | 安平博 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2015-11-30 ; 2015-11-30 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 李晋闽 ; 李晋闽 |
| 关键词 | 非晶玻璃衬底 GaN AlN 石墨烯 选区生长 溅射 生长机制 非晶玻璃衬底 Gan Aln 石墨烯 选区生长 溅射 生长机制 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体材料 ; 半导体材料 |
| 公开日期 | 2015-12-02 ; 2015-12-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26619]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安平博. 新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究, 新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2015, 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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