不良溶剂诱导P3HT晶须有序排列
文献类型：会议论文
| 作者 | 王思思 ; 杨小牛 |
| 出版日期 | 2014 |
| 会议名称 | 中国化学会第29届学术年会 |
| 会议日期 | 2014-08-04 |
| 会议地点 | 中国北京 |
| 关键词 | 聚3-己基噻吩 纳米晶须 取向 |
| 中文摘要 | 区域规整聚3-己基噻吩(P3HT)作为一种p-型半导体材料因其优异的电学性能[1],化学稳定性及易加工[2]等性质而在聚合物场效应晶体管(OFETs),太阳能电池领域广泛应用。本工作主要是研究了一种简便有效的方法来获得取向P3HT薄膜。我们发现往P3HT/ODCB(2 mg/mL)的稀溶液中滴加不良溶剂形成的纳米晶须/不良溶剂/良溶剂混合溶液,在玻璃基底上缓慢挥发的过程中会形成P3HT晶须取向的薄 |
| 会议主办者 | 中国化学会 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/60089]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王思思,杨小牛. 不良溶剂诱导P3HT晶须有序排列[C]. 见:中国化学会第29届学术年会. 中国北京. 2014-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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