纳米流体二极管及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 弓晓晶![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2015-06-03 |
专利号 | CN102923635B |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
申请日期 | 2012-10-26 |
专利申请号 | 201210415048.X |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3180] ![]() |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_测试分析平台 |
作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 弓晓晶,刘磊,邱永鑫,等. 纳米流体二极管及其制造方法. CN102923635B. 2015-06-03. |
入库方式: OAI收割
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