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纳米流体二极管及其制造方法

文献类型:专利

作者弓晓晶; 刘磊; 邱永鑫; 王子武; 张锦平; 王建峰; 徐科
发表日期2015-06-03
专利号CN102923635B
专利类型发明
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日期2012-10-26
专利申请号201210415048.X
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3180]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_测试分析平台
作者单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
弓晓晶,刘磊,邱永鑫,等. 纳米流体二极管及其制造方法. CN102923635B. 2015-06-03.

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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