基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管
文献类型：专利
| 作者 | 蔡勇 ; 刘胜厚; 张宝顺
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| 发表日期 | 2016-11-30 |
| 专利号 | CN103872121B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 申请日期 | 2014-03-25 |
| 专利申请号 | 201410113967.0 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3115]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡勇,刘胜厚,张宝顺. 基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管. CN103872121B. 2016-11-30. |
入库方式： OAI收割
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