基于表面等离子体的微纳光刻技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨勇 ; 胡松 ; 姚汉民 |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 12页码:716-719 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 中文摘要 | 首先介绍了光刻技术的发展及其面临的挑战.随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础,而纳米光刻技术是纳米结构制作的基础,基于表面等离子体的纳米光刻作为一种新兴技术有望突破45 nm节点从而极大提高光刻的分辨力.介绍了表面等离子体的特性,对表面等离子体(SPs)在光刻中的应用作了回顾和分析,指出在现有的利用表面等离子体进行纳米光刻的实验装置中,或采用单层膜的超透镜(Superlens),或采用多层膜的Superlens,但都面临着如何克服近场光刻这一难题;结合作者现有课题分析了表面等离子体光刻的发展方向,认为结合多层膜的远场纳米光刻方法是表面等离子体光刻的发展方向. |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-12-24 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/1928]  |
| 专题 | 光电技术研究所_微电子装备总体研究室（四室） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨勇,胡松,姚汉民. 基于表面等离子体的微纳光刻技术[J]. 微纳电子技术,2008(12):716-719. |
| APA | 杨勇,胡松,&姚汉民.(2008).基于表面等离子体的微纳光刻技术.微纳电子技术(12),716-719. |
| MLA | 杨勇,et al."基于表面等离子体的微纳光刻技术".微纳电子技术 .12(2008):716-719. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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