高隔离度X波段RF MEMS 电容式并联开放室关
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张 理 ; 姚军 ; 王大甲 |
| 刊名 | 微纳电子技术
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 45期号:6页码:342-346 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 中文摘要 | RF MEMS开关在隔离度、插入损耗、功耗以及线性度等方面，具有比FET或pin二极管传统微波固态开关无法比拟的优势，从而获得了广泛的关注，并显示出在微波应用领域的巨大潜力。自1979年K.E.Petersen第一次报道RF MEMS开关的应用以来，业界已研制出很多不同结构的RF MEMS开关。无论是在隔离度还是在插入损耗上，RFMEMS电容式并联开关在Ka到W波段都表现出了良好的性能。但是，RF MEMS电容式开关在低频段的较低隔离度限制了其在X波段的应用。为克服以上不足，J.B.Muldavin等人提出了在开关梁与地平面之间加入高阻抗传输线，通过该传输线引入的串联电感使LC谐振频率达到X波段范围，并获得了在X波段隔离度优于-20 dB的性能。J.Y.Park等人设计的RF MEMS电容式并联开关使用介电常数为30～120的SrTiO3作为介质层，通过增加开关闭态的电容值使开关在10GHz处的隔离度优于-30 dB。M.Tang等人把CPW下电极放置在由KOH刻蚀、深度为1.6μm的衬底盆状槽中，获得了10～13 GHz频率下，单个开关隔离度为-16.5～-28 dB，两个开关级联的隔离度为-25～-35 dB。 |
| 学科主题 | 微细加工技术 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-12-24 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/2062]  |
| 专题 | 光电技术研究所_微细加工光学技术国家重点实验室（开放室） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张 理,姚军,王大甲. 高隔离度X波段RF MEMS 电容式并联开放室关[J]. 微纳电子技术,2008,45(6):342-346. |
| APA | 张 理,姚军,&王大甲.(2008).高隔离度X波段RF MEMS 电容式并联开放室关.微纳电子技术,45(6),342-346. |
| MLA | 张 理,et al."高隔离度X波段RF MEMS 电容式并联开放室关".微纳电子技术 45.6(2008):342-346. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。