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• 高能物理研究所 [2]

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内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 1999 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：1999    专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Modification of c-axis sapphire implanted with high dose yttrium ions 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1999, 卷号: 149, 期号: 1-2, 页码: 136-140 作者:  Xie, DZ;  Zhu, DZ;  Cao, DX;  Cao, JQ;  Pan, HC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/23 Sapphire  Ion implantation   Auger electron spectroscopy and rutherford backscattering-channeling study of silicon nitride formation by low energy n-2(+) ion implantation 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 120-122 作者:  Chai, JW;  Yang, GH;  Pan, HC;  Cao, JQ;  Zhu, DZ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/23