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• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2000 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2000    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Design consideration and performance of high-power and high-brightness ingaas-ingaasp-algaas quantum-well diode lasers (lambda=0.98 mu m) 期刊论文  iSwitch采集 Ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 577-584 作者:  Yang, GW;  Hwu, RJ;  Xu, ZT;  Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum-well lasers  Semiconductor diodes  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor lasers  Semiconductor materials   Energy band and acceptor binding energy of gan and alxga1-xn 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 204-206 作者:  Xia, JB;  Cheah, KW;  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Acceptor binding energy  Hole effective-mass hamiltonian  Wurtzite gan   Effective method for evaluation of semiconductor laser quality 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics reliability, 2000, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 333-337 作者:  Li, HY;  Qi, LY;  Shi, JW;  Jin, ES;  Li, ZT 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12