机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [2]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 作者:  Guo, Lunchun;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Cuimei;  Mao, Hongling;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hemt  2deg  Mobility  Polarization   A low-cost cmos programmable temperature 期刊论文  iSwitch采集 Sensors, 2008, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 3150-3164 作者:  Li, Yunlong;  Wu, Nanjian 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Temperature switch  Floating gate neural mos  Threshold temperature  Process compensation