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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
存缴方式:iswitch
发表日期:2010
专题:半导体研究所
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条数/页:
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High electrical-to-green efficiency high stability intracavity-frequency-doubled nd:yag-lbo qcw 532 nm laser with a straight cavity
期刊论文
iSwitch采集
Laser physics letters, 2010, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 707-710
作者:
Zhang, Sh B.
;
Cui, Q. J.
;
Xiong, B.
;
Guo, L.
;
Hou, W.
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提交时间:2019/05/12
Intracavity-frequency-doubled
High efficiency
532 nm
Straight cavity