机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12