机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2009 [2]
• 2007 [2]
• 2006 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Distribution of dislocations in gasb and insb epilayers grown on gaas (001) vicinal substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: 4 作者:  Li, Meicheng;  Qiu, Yongxin;  Liu, Guojun;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Shape stability of inas self-assembled islands on vicinal gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation of gasb epilayer grown on vicinal gaas(001) substrate by high resolution x-ray diffraction 期刊论文  iSwitch采集 Physica scripta, 2007, 卷号: T129, 页码: 27-30 作者:  Qiu, Yongxin;  Li, Meicheng;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun;  Wang, Yong 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of inas grown on vicinal gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 26, 页码: 4 作者:  Wu, J.;  Jiao, Y. H.;  Jin, P.;  Lv, X. J.;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy inas dot arrays on ingaas/gaas 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850 作者:  Jiao, Y. H.;  Wu, J.;  Xu, B.;  Jin, P.;  Hu, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12