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采集方式
  • OAI收割 [1]
内容类型
发表日期
  • 2007 [1]
学科主题
  • 半导体物理 [1]
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1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文  OAI收割
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ
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