中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
发表日期:2008
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1258-1262
作者:
Yang Xiaoli
;
Wang Yu
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
OAI收割
2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/03/09
INDUCED REFRACTIVE-INDEX
GROWTH
LASERS
GAAS
Influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer on Si(111) by MOCVD
期刊论文
OAI收割
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713
Luo WJ
;
Wang XL
;
Guo LC
;
Mao HL
;
Wang CM
;
Ran JX
;
Li JP
;
Li JM
收藏
  |  
浏览/下载:191/53
  |  
提交时间:2010/03/08
GaN
Si(111)
Crack
AlN
MOCVD
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
OAI收割
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/09