机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [4]

发表日期

• 2001 [4]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Li JM; Sun GS; Zhu SR; Wang L; Luo MC; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  LOW-TEMPERATURE GROWTH  FILMS   Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/15 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS   Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering 会议论文  OAI收割 chinese-german workshop on characterization and development on nanosystems, beijing, peoples r china, oct 30-nov 02, 2000 Liu JW; Xie FQ; Zhong DY; Wang EG; Liu WX; Li SF; Yang H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 luminescence  SiC  nanocrystalline film  rf sputtering  RAMAN-SCATTERING