机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 会议论文 [3]

发表日期

• 2001 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Zeng YP; Cao X; Cui LJ; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  high electron mobility transistors  DENSITY   High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Wang JX; Sun DZ; Wang XL; Li JM; Zeng YP; Hou X; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 characterization  molecular beam epitaxy  gallium compounds  nitrides  piezoelectric materials  semiconducting gallium compounds  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  DIODES   Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Cao X; Zeng YP; Cui LJ; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  MOBILITY