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  • 2001 [1]
学科主题
  • 半导体物理 [1]
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Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1909-1911
Jiang CP; Huang ZM; Guo SL; Chu JH; Cui LJ; Zeng YP; Zhu ZP; Wang BQ
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