机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2002 [3]

学科主题

• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrogen vacancy scattering  GaN  mobility  MOCVD  N-TYPE GAN  NITRIDE  FILMS   Simulation and fabrication of thermo-optic variable optical attenuators based on multimode interference coupler 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4275-4278 Yang L; Liu YL; Li F; Cheng Y; Qiu HJ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 WAVE-GUIDES   Microstructure of a-SiOx : H 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Cheng WC; Li GH; Chen CY; Zhang SB; Xu YY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 a-SiOx : H  microstructure  bonding configuration  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  ELECTRONIC-PROPERTIES  SIO2/SI INTERFACE  OXYGEN  FILMS  VIBRATIONS  ALLOYS  SYSTEM