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机构
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  • 外文期刊 [1]
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  • 2004 [1]
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Characterization of 1.9-and 1.4-nm ultrathin gate oxynitride by oxidation of nitrogen-implanted silicon substrate 外文期刊  OAI收割
2004
作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Han, ZS;  Lin, G;  Liu, M
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26