机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2005 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1207-1212 作者:  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 SINGLE-PARTICLE  ELECTRON-GAS  MOBILITY  GAAS  DISORDER   Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954 作者:  Xu YQ;  Niu ZC;  Zhang W;  Jiang DS;  Han Q 收藏  |  浏览/下载：66/31  |  提交时间：2010/03/17 molecular beam epitaxy