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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
发表日期:2006
学科主题:半导体材料
条数/页:
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The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
会议论文
OAI收割
3rd international materials symposium/12th meeting of the sociedad-portuguesa-da-materials (materials 2005/spm), aveiro, portugal, mar 20-23, 2005
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
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浏览/下载:209/71
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提交时间:2010/03/29
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD