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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
iSwitch采集 [3]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [4]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
发表日期:2010
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
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条数/页:
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The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
作者:
Song, H. P.
;
Zheng, G. L.
;
Yang, A. L.
;
Guo, Y.
;
Wei, H. Y.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Zno
In2o3
Mocvd
Photoelectron spectroscopies
Inn layers grown by mocvd on srtio3 substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377
作者:
Jia, C. H.
;
Chen, Y. H.
;
Zhou, X. L.
;
Liu, G. H.
;
Guo, Y.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Srtio3
Growth behavior
Mocvd
Inn
The role of zinc dopant and the temperature effect on the controlled growth of inn nanorods in metal-organic chemical vapor deposition system
期刊论文
iSwitch采集
Crystengcomm, 2010, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 3936-3941
作者:
Song, Huaping
;
Guo, Yan
;
Yang, Anli
;
Wei, Hongyuan
;
Xu, Xiaoqing
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
InN layers grown by MOCVD on SrTiO3 substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 312 (3): jan 15 2010, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377
作者:
Jia CH
;
Zhou XL
收藏
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浏览/下载:116/26
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提交时间:2010/04/13
TiO3
Growth behavior
MOCVD
InN 了CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
PRESSURE