中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
发表日期:2011
学科主题:半导体物理
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-Zn(4)Sb(3): An ab initio theoretical study
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 24, 页码: 241901, 241901
作者:
Chen, WB
;
Li, JB
;
Chen, WB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,jbli@semi.ac.cn
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/01/06
PHONON-GLASS
INTERSTITIAL ZN
ZN4SB3
ENERGY
ZINC
Phonon-glass
Interstitial Zn
Zn4sb3
Energy
Zinc