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  • 会议论文 [3]
发表日期
  • 2017 [3]
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Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文  OAI收割
作者:  Song, Y.;  Zhang, L. Q.;  Zhang, C. H.;  Xu, C. L.;  Li, Jj.
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Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文  OAI收割
作者:  
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Dielectronic recombination of Be-like argon at the CSRm 会议论文  OAI收割
Cairns, AUSTRALIA, JUL 26-AUG 01, 2017
作者:  Zhao, D. M.;  Huang, Z. K.;  Wen, W. Q.;  Xu, X.;  Wang, S. X.
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