机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2017 [5]

学科主题

• 半导体物理 [3]
• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2017    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effective Zeeman splitting in bent lateral heterojunctions of graphene and hexagonal boron nitride: A new mechanism towards half-metallicity 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: 201403 作者:  Ling Yue;  Gotthard Seifert;  Kai Chang;  Dong-Bo Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/06/01 In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides 期刊论文  OAI收割 Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 16, 页码: 165402 作者:  Zhi-Qiang Fan;  Xiang-Wei Jiang;  Jun-Wei Luo;  Li-Ying Jiao;  Ru Huang 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/06/15 Fast gate-tunable photodetection in the graphene sandwiched WSe2/GaSe heterojunctions 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, 2017, 卷号: 9, 页码: 8388-8392 作者:  Xia Wei;  Faguang Yan;  Quanshan Lv;  Chao Shen;  Kaiyou Wang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/07/02 Enhancing rectification of Nb:SrTiO3/ZnO heterojunctions by magnetic field 期刊论文  OAI收割 Vacuum, 2017, 卷号: 142, 页码: 66-71 作者:  Ming Han;  Yong Ren;  Jiachen Li;  Yonghai Chen;  Weifeng Zhang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/23 Epitaxial growth of BaTiO3/ZnO heterojunctions and transition from rectification to bipolar resistive switching effect 期刊论文  OAI收割 Appl. Phys. Lett., 2017, 卷号: 111, 页码: 113506 作者:  Caihong Jia;  Xiaoqian Yin;  Guang Yang;  Yonghui Wu;  Jiachen Li 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/05/23