机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1999 [1]

学科主题

• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 Wang YS; Li JM; Lin LY; Zhang FF 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  epitaxial growth  RHEED  Raman spectrum  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SILICON  SURFACES  FILMS  LAYER  MOLECULAR-BEAM EPITAXY