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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文  OAI收割
symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002
作者:  
Jin P;  Li CM;  Xu B;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载:14/2  |  提交时间:2010/10/29