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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2003 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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学科主题:半导体器件
专题:半导体研究所
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
OAI收割
symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002
作者:
Jin P
;
Li CM
;
Xu B
;
Ye XL
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提交时间:2010/10/29
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