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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2000 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
条数/页:
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High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111)
会议论文
OAI收割
33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006
Wang, XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang, XL (Wang, Xiaoliang)
;
Wang, BZ (Wang, Baozhu)
;
Xiao, HL (Xiao, Hongling)
;
Liu, HX (Liu, Hongxin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:125/38
  |  
提交时间:2010/03/29
BUFFER LAYER
STRESS
PHOTODIODES
REDUCTION
DETECTORS
SAPPHIRE
EPITAXY
GROWTH
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
OAI收割
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
OAI收割
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/15
STRESS
GROWTH