中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
OAI收割
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS