机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [1]
• 2002 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：92/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE