机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Effect of substrate temperature on the growth and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanostructures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 1, 页码: 19-25 Li C (Li Chun); Fang GJ (Fang Guojia); Fu Q (Fu Qiang); Su FH (Su Fuhai); Li GH (Li Guohua); Wu XG (Wu Xiaoguang); Zhao XZ (Zhao Xingzhong) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructure  vapor phase transport  ZnO  semiconductor materials  PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  THERMAL EVAPORATION  FIELD-EMISSION  NANOWIRES  NANORODS  MECHANISM  ARRAYS   Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)