机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2010 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12, 2010-10-15 占 荣; 惠 峰; 赵有文 收藏  |  浏览/下载：305/0  |  提交时间：2010/08/12 制备稀磁半导体Ga 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2009/06/11 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 作者:  杨晓光 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/09/09 一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 赵建华; 王海龙 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/08/30 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 作者:  杨晓光 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/08/31 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 杨晓光; 杨涛 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/09/09 AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 赵德刚; 李晓静; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 陈平 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/09/12 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237780.0, CN200910237780.0, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30 作者:  孙晓明;  郑厚植;  章昊   |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/08/30 一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240933.2, CN200810240933.2, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30 作者:  谈笑天;  郑厚植   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/08/30