机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31 作者:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/08/31