机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [2]

发表日期

• 2008 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor 会议论文  OAI收割 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Ji, G; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/09 Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively 会议论文  OAI收割 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Chen NF; Zhong XG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  CRYSTALS  DEFECTS