机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 学位论文 [4]
• 专利 [2]

发表日期

• 2020 [1]
• 2018 [1]
• 2017 [1]
• 2011 [1]

学科主题

• 半导体器件 [3]
• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 低维锑基半导体材料光电探测器研究 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  柴瑞青   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/09/01 中红外GaSb基窄线宽激光器制备的研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  罗皓   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/29 锑化镓  量子阱  单模激光器  Dbr光栅  纳米压印   中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 柴小力 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2017/05/31 窄带隙半导体  锑化镓量子阱  中红外激光器  分子束外延  DBR光栅   窄带隙锑化镓基热光伏电池设计及系统研制 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  汪宇 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2011/06/02 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 季海铭; 罗帅; 杨涛 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2014/12/25 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09, 2013-10-09 作者:  郑婉华;  王海玲;  刘磊;  张建心;  张斯日古楞   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2014/11/17