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• 半导体研究所 [2]

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• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2010 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High electrical-to-green efficiency high stability intracavity-frequency-doubled nd:yag-lbo qcw 532 nm laser with a straight cavity 期刊论文  iSwitch采集 Laser physics letters, 2010, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 707-710 作者:  Zhang, Sh B.;  Cui, Q. J.;  Xiong, B.;  Guo, L.;  Hou, W. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Intracavity-frequency-doubled  High efficiency  532 nm  Straight cavity   Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in inn films 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 作者:  Liu, B.;  Zhang, Z.;  Zhang, R.;  Fu, D. Y.;  Xie, Z. L. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12