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• 半导体研究所 [5]

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• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2011 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Inalgaas/inp cylinder microlaser connected with two waveguides 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 16, 页码: 929-930 作者:   收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Single transverse whispering-gallery mode algainas/inp hexagonal resonator microlasers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee photonics journal, 2011, 卷号: 3, 期号: 4, 页码: 756-764 作者:   收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductor lasers   The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5 作者:   收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12