机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [2]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Ning, J. Q.;  Xu, S. J.;  Ruan, X. Z.;  Ji, Yang;  Zheng, H. Z. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6 作者:  Tang Hai-Ma;  Zheng Zhong-Shan;  Zhang En-Xia;  Yu Fang;  Li Ning 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Separation by oxygen implantation  Buried oxide  Nitrogen implantation  Positive charge density   Ultrafast kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in inas/gaas quantum disks 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796 作者:  Ning, J. Q.;  Xu, S. J.;  Wei, Z. F.;  Ruan, X. Z.;  Ji, Yang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical kerr effect  Electron spin  Quantum disks  Inas/gaas   Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 6 作者:  Tang Hai-Ma;  Zheng Zhong-Shan;  Zhang En-Xia;  Yu Fang;  Li Ning 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon-on-insulator wafers  Radiation hardness  Nitrogen implantation