机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：2006    学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 会议论文  OAI收割 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 Sun, GS (Sun, G. S.); Liu, XF (Liu, X. F.); Gong, QC (Gong, Q. C.); Wang, L (Wang, L.); Zhao, WS (Zhao, W. S.); Li, JY (Li, J. Y.); Zeng, YP (Zeng, Y. P.); Li, JM (Li, J. M.) 收藏  |  浏览/下载：166/18  |  提交时间：2010/03/29 4H-SiC