中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
发表日期:2012
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Growth and Characterization of an a-Plane InxGa1-xN on a r-Plane Sapphire
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 117103
Zhao GJ (Zhao Gui-Juan)
;
Li ZW (Li Zhi-Wei)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Liu GP (Liu Gui-Peng)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/03/26