机构

• 新疆理化技术研究所 [2]
• 力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2021 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：2021     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Taiji program in space for gravitational universe with the first run key technologies test in Taiji-1 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS A, 2021, 卷号: 36, 期号: 11N12, 页码: 2 作者:  Wu YL(吴岳良);  Luo ZR(罗子人);  Wang, Jian-Yu;  Bai, Meng;  Bian, Wei   |  收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2021/06/21 Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1;  Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1;  Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/08/06 Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability   Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2021/12/06 Threshold voltage  TestingMOSFET circuits  Transistors  Standards  Logic gates  Fluctuations  Buried oxide (BOX)  silicon-on-insulator (SOI)  total ionizing dose (TID)