机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [3]

学科主题

• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures 期刊论文  OAI收割 compound semiconductors 1999, 2000, 期号: 166, 页码: 251-256 Wang H; Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Wang XD; Guo ZS; Ning D 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  ENERGY-LEVELS  SPECTROSCOPY   Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures 会议论文  OAI收割 26th international symposium on compound semiconducors, berlin, germany, aug 22-26, 1999 Wang H; Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Wang XD; Guo ZS; Ning D 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  ENERGY-LEVELS  SPECTROSCOPY   Photoluminescence study of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 384-388 Guo ZS; Wang HL; Ning D; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRONIC-STRUCTURE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER RELAXATION  GROWTH