机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2001 [6]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Homoepitaxial growth and device characteristics of sic on si-face (0001) 6h-sic 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 816-819 作者:  Li, JM;  Sun, GS;  Zhu, SR;  Wang, L;  Luo, MC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Molecular beam epitaxy  Semiconducting silicon compounds   Epitaxial growth of sic on complex substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 811-815 作者:  Sun, GS;  Li, JM;  Luo, MC;  Zhu, SR;  Wang, L 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical microscopy  X-ray diffraction  Molecular beam epitaxy  Semiconducting silicon compounds   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Li JM; Sun GS; Zhu SR; Wang L; Luo MC; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  LOW-TEMPERATURE GROWTH  FILMS   Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 816-819 Li JM; Sun GS; Zhu SR; Wang L; Luo MC; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：79/6  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  LOW-TEMPERATURE GROWTH  FILMS   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 811-815 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：95/9  |  提交时间：2010/08/12 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS