机构

• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography 期刊论文  OAI收割 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2008, 卷号: 53, 期号: 22, 页码: 3585 Xu, JB; Zhang, HY; Wang, WX; Liu, L; Li, M; Fu, XJ; Niu, JB; Ye, TC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 LMDS