机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2008 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2009/06/11