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  • 2012 [1]
学科主题
  • 半导体物理 [1]
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Polarization-Driven Topological Insulator Transition in a GaN/InN/GaN Quantum Well 期刊论文  OAI收割
physical review letters, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 109, 109, 期号: 18, 页码: 186803, 186803
作者:  Miao MS (Miao, M. S.);  Yan Q (Yan, Q.);  Van de Walle CG (Van de Walle, C. G.);  Lou WK (Lou, W. K.);  Li LL (Li, L. L.)
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