机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2017 [3]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photodetectors based on junctions of two-dimensional transition metal dichalcogenides 期刊论文  OAI收割 Chin. Phys. B, 2017, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 038504 作者:  Xia Wei;  Fa-Guang Yan;  Chao Shen;  Quan-Shan Lv;  Kai-You Wang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/07/02 Optical rectification and Pockels effect as a method to detect the properties of Si surfaces 期刊论文  OAI收割 CHINESE OPTICS LETTERS, 2017, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 062401 作者:  Qi Wang;  Li Zhang;  Xin Wang;  Haiyan Quan;  Zhanguo Chen 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/09 Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 109, 页码: 194-200 作者:  Shiming Liu;  Quan Wang;  Hongling Xiao;  Kun Wang;  Cuimei Wang 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/05/23