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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2019 [3]
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共3条，第1-3条
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发表日期：2019
专题：半导体研究所
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Temperature-dependent subband mobility characteristics in n-doped silicon junctionless nanowire transistor
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 066804
作者:
Ya-Mei Dou
;
Wei-Hua Han
;
Yang-Yan Guo
;
Xiao-Song Zhao
;
Xiao-Di Zhang
;
Xin-Yu Wu
;
Fu-Hua Yang
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提交时间：2020/08/05
Observation of hopping transitions for delocalized electrons by temperature-dependent conductance in silicon junctionless nanowire transistors
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 107303
作者:
Yang-Yan Guo
;
Wei-Hua Han
;
Xiao-Song Zhao
;
Ya-Mei Dou
;
Xiao-Di Zhang
;
Xin-Yu Wu
;
Fu-Hua Yang
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收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2020/08/05
Quantum transport relating to impurity quantum dots in silicon nanostructure transistor
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2019, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 087301
作者:
Wu Xin-Yu
;
Han Wei-Hua
;
Yang Fu-Hua
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浏览/下载：5/0
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提交时间：2020/08/05
