中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [10]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2005 [4]
2004 [6]
学科主题
光电子学 [10]
筛选
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
顶部平坦化32通道AWG的设计与研制
期刊论文
OAI收割
光电子·激光, 2005, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 887-889
作者:
李健
;
安俊明
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2010/11/23
单侧耦合16通道100GHz硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制
期刊论文
OAI收割
光学技术, 2005, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 583-585
作者:
李健
;
李健
;
安俊明
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/23
SiO2/Si波导应力双折射数值分析
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1454-1458
作者:
安俊明
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/23
16×0.8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试
期刊论文
OAI收割
光学技术, 2005, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 349-350
作者:
安俊明
;
李健
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 674-677
作者:
安俊明
;
李健
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/23
16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化
期刊论文
OAI收割
半导体光电, 2004, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 345-348
作者:
安俊明
;
李健
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/23
SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 858-862
作者:
安俊明
;
李健
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2010/11/23
在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 1279-1282
作者:
韩培德
;
安俊明
;
李健
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/11/23
火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究
期刊论文
OAI收割
半导体光电, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 496-498
作者:
安俊明
;
李健
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/23
16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计
期刊论文
OAI收割
光学技术, 2004, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 676-678
作者:
李健
;
安俊明
;
李健
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2010/11/23